TK35N65W,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK35N65W,S1F |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $7.86 |
10+ | $7.102 |
100+ | $5.8799 |
500+ | $5.1201 |
1000+ | $4.4595 |
2000+ | $4.2943 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 17.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 270W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK35N65 |
TK35N65W,S1F Einzelheiten PDF [English] | TK35N65W,S1F PDF - EN.pdf |
TK35A65W5,S5X(M TOSHIBA
TOSHIBA TO220
TOSHIBA TO-252
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
TOSHIBA TO220F
TK35N65W5 TOSHIBA
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
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TOSHIBA TO-220
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TK35N65W,S1FToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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